吉田キャンパス（本部構内）

利用可能設備

20. 超高精細高精度電子ビーム描画装置
21. レーザー直接描画装置
22. マスクレス露光装置
23. 露光装置（ステッパー）
24. 多元スパッタ装置
25. 多元スパッタ装置
26. プラズマCVD装置
27. 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
28. 電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置
29. 磁気中性線放電ドライエッチング装置
30. 基板接合装置
31. 分析走査電子顕微鏡
32. レーザアニーリング装置
33. 深堀りドライエッチング装置
35. シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
36. 集束イオンビーム/走査電子顕微鏡
37.レーザダイシング装置
38.クリーンルーム
39. クリーンルーム
40. 大面積超高精度電子線描画装置
54. [S-1]クリーンルーム
57. スーパーコンピュータシステム
58. BD セルソーター Aria II SORP
59. STED超解像顕微鏡
60. 共焦点･FCCS顕微鏡
61. 超解像顕微鏡
62. 格子構造化照明超解像顕微鏡システム
63. ウェハプロファイラ装置
64. 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
65. 高圧ジェットリフトオフ装置
82. 原子層堆積装置（ALD） SAMCO製 AD-800LP-KN
83. UVナノインプリント装置 EVG製 EVG6200TBN
84. 熱インプリント装置 EVG製 EVG510

詳細

設備番号 20
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 超高精細高精度電子ビーム描画装置
メーカー名、型番等 エリオニクス製 高速高精度電子ビーム描画装置 ELS－F125HS
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 加速電圧： 125kV、100kV、75kV、50kV、25kV
描画最小線幅： 5nm （125kV）
設置場所 吉田キャンパス（本部構内）
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 21
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 レーザー直接描画装置
メーカー名、型番等 （ドイツ）Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH社 レーザー直接描画装置DWL200 LD3D
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 最大基板サイズ： 200×200mｍ2
最小描画サイズ： 0.6μm
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 22
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 マスクレス露光装置
メーカー名、型番等 ナノシステムソリューションズ製 マスクレス露光装置 D-light DL-10000GS／KCH
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 最小画素： 1μm
ワークサイズ： φ6インチ
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 23
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 露光装置（ステッパー）
メーカー名、型番等 ニコン製 縮小投影型露光装置 NSR-2205i11D
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 解像度： 0.35μm以下
露光光源： i線（365nm）
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 24
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 多元スパッタ装置
メーカー名、型番等 多元スパッタ装置 キヤノンアネルバ製 EB1100 スパッタ装置（仕様A）
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 平行平板スパッタ。2元同時スパッタ可能。
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 25
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 多元スパッタ装置
メーカー名、型番等 多元スパッタ装置 キヤノンアネルバ製 EB1100 スパッタ装置（仕様B）
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 平行平板スパッタ。3元同時スパッタ可能。
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 26
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 プラズマCVD装置
メーカー名、型番等 住友精密工業製 プラズマCVD装置 MPX－CVD
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 均一性：面内≦±3%、ウエハ間≦±3%
厚膜：≧40μm
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 27
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ 電子顕微鏡
設備名称 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
メーカー名、型番等 日立超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 SU8000
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 像分解能： 1.0nm＊15kV 1.4nm＊1kV
取得可能像： 二次電子像、組成像、透過像、透過暗視野像
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 28
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置
メーカー名、型番等 エリオニクス製 ECRイオンシャワー装置 EIS-1200
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 微細加工のエッチング。イオンビーム有効径φ108mm。試料サイズ　最大φ6インチ。
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 29
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 磁気中性線放電ドライエッチング装置
メーカー名、型番等 高密度プラズマドライエッチング装置NLD-570
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 高速エッチングが可能（石英＞1μm/min、Pyrex＞0.8μm/min）
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 30
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 基板接合装置
メーカー名、型番等 （ドイツ）ズース・マイクロテック社製 基板接合装置 SUSS SB8e SPEC-KU
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 接合：陽極接合、共晶接合、接着剤接合、フュージョン接合、SOI、熱圧着接合
基板サイズ：φ6インチまで
アライメント精度：0.25um（上面）、1.0um（下面）
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 31
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ 電子顕微鏡
設備名称 分析走査電子顕微鏡
メーカー名、型番等 主な構成機器
  1. 日立ハイテクノロジーズ製 低真空分析走査電子顕微鏡 SU6600
  2. （英国）オックスフォード・インストゥルメンツ製 エネルギー分散型X線分析システム
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 Be～Uまでの元素分析が可能。結晶方位解析装置（EBSP）が付属しており、試料の結晶性評価が可能。二次電子像、組成像
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 32
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ レーザー
設備名称 レーザアニーリング装置
メーカー名、型番等 AOV製 レーザアニーリングシステム LAEX-1000
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 搭載レーザ： KrFエキシマレーザー
波長： 248nm、308nm、193nm
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 33
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 深堀りドライエッチング装置
メーカー名、型番等 サムコ製 装置本体 RIE-801iPB-KU
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 基板サイズ： φ8インチまで。最大56μm/minのSiの高速エッチング。フォトレジストマスクにて高い選択比のエッチングが可能
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 35
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
メーカー名、型番等 主な構成機器
  1. 住友精密工業製 シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置 MLT-SLE-Ox
  2. 米国 XACTIX社製 シリコン犠牲層エッチング装置 Xetch X3B
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 フッ化水素（HF）ガスによりシリコン酸化膜をドライエッチングす。基板は3枚まで同時にエッチング可能。 フッ化キセノン（XeF2）により、Siを常圧、非プラズマ条件下でドライエッチング可能。SiO2やSi3N4 Alなどに対して、全くエッチング作用がないため、高選択比エッチングが可能
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
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設備番号 36
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ 電子顕微鏡
設備名称 集束イオンビーム／走査電子顕微鏡
メーカー名、型番等 エスアイアイ・ナノテクノロジー製 集束イオンビーム化学気相成長装置 Nvision40
購入年月 平成23年
おもな仕様・機能・特徴 FIBとFE-SEMの複合装置。形状・表面電位・組成などの情報を取得可能。EDS/EBSDによる元素分析・結晶方位解析も同時に可能。また、真空用ナノインデンタ－システム搭載
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 37
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 レーザダイシング装置
メーカー名、型番等 東京精密製 レーザダイシング装置 ML200
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 ドライプロセスによるダイシングマシン.薄ウエハの切断可能、高速切断可（300mm/sec）
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 38
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 クリーンルーム
メーカー名、型番等 大西熱学製 恒温恒湿クリーンブース OSC-385FCS
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 イエロールーム： クラス100
その他クリーンルーム： クラス1,000
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 39
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 クリーンルーム
メーカー名、型番等 大西熱学製 恒温恒湿クリーンブース OSC-365NF
購入年月 平成22年
おもな仕様・機能・特徴 クラス：100,000
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 40
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 大面積超高精度電子線描画装置
メーカー名、型番等 F7000S-KYT01 製造： アドバンテスト
購入年月 平成24年
おもな仕様・機能・特徴 解像度：1xnm
露光対象基板：ウエハ（300mm、200mm、6～3インチ）、ガラス基板（6025）
露光方式：CP露光方式・VSB露光方式
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
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設備番号 54
部局名 理学研究科・理学部
カテゴリ その他
設備名称 [S-1]クリーンルーム
メーカー名、型番等 京栄社株式会社製、型番等なし
購入年月 平成20年3月、平成21年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • A室（北側、81ｍ 2 、清浄度クラス100以下）
  • B室（南側、91ｍ 2 、清浄度クラス1000以下）
設置場所 吉田キャンパス本部構内 総合研究5号館401号室
問い合わせ先 関連リンクに記載しています。
関連リンク 京都大学北部キャンパス機器分析拠点
申請書 申請書様式
備考 北部キャンパス機器分析拠点の登録機器です。申請書は、上記申請書欄のリンクからダウンロードしてください。
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設備番号 57
部局名 学術情報メディアセンター
カテゴリ 計算機
設備名称 スーパーコンピュータシステム
メーカー名、型番等 DELL

主な構成機器
  1. Camphor3 (DELL PowerEdge C6620)
  2. Laurel3 (DELL PowerEdge C6620)
  3. Cinnamon3 (DELL PowerEdge C6620)
  4. Gardenia (DELL PowerEdge XE8545)
購入年月 令和5年1月
おもな仕様・機能・特徴 4種の演算システムから構成されるスーパーコンピュータシステム
設置場所 吉田キャンパス本部構内
問い合わせ先 Tel： 075-753-7424 （情報環境支援センター（スパコン担当））
E-mail： zenkoku-kyo＊media.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
関連リンク スーパーコンピューター | 京都大学情報環境機構
申請書 上記リンクよりよりダウンロードしてください。
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設備番号 65
部局名 高等研究院
カテゴリ 細胞解析
設備名称 BD セルソーター Aria II SORP
メーカー名、型番等 ベクトン・ディッキンソン社

主な構成機器
  • Special Order BD FACSAria II セルソーター2レーザー（BLUE／RED）
  • 自動細胞捕集装置（ACDU）
  • 温度コントロールオプション
  • BD FACSAria用コンピューターワークステーション
購入年月 平成22年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 4本のレーザーを搭載し、最大13蛍光と2散乱光の同時解析とソーティングが可能。
  • 細胞1個単位の解析を1000万回／秒で行う。自動調整機構が改良されており、従来機に比べて操作負担が軽減されている。
  • ソーティングした細胞を低温で維持することが可能。
設置場所 吉田キャンパス本部構内 物質－細胞統合システム拠点本館 A202号室
問い合わせ先 iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp （＊を@に変えてください）
関連リンク iCeMS解析センター
申請書 上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号 66
部局名 高等研究院
カテゴリ 蛍光顕微鏡
設備名称 STED超解像顕微鏡
メーカー名、型番等 独国ライカマイクロシステムズ社
ライカマイクロシステムズ
TCS SP8 gated STED
購入年月 平成22年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 空間分解能50ナノメートルまで対応
  • 先端的な研究に必要
設置場所 吉田キャンパス本部構内 総合研究1号館別館 301号室
問い合わせ先 iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク iCeMS解析センター
申請書 上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号 67
部局名 高等研究院
カテゴリ 蛍光顕微鏡
設備名称 共焦点･FCCS顕微鏡
メーカー名、型番等 独国カールツァイス社
カールツァイス LSM780 ConfoCor3
購入年月 平成22年2月
おもな仕様・機能・特徴
  • 蛍光相関分光法に対応
  • スペクトル分光イメージングに対応
  • 生細胞の微弱蛍光長時間観察に対応
設置場所 吉田キャンパス本部構内　総合研究1号館別館 301号室
問い合わせ先 iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク iCeMS解析センター
ZEISS-iCeMS Innovation Core
申請書 上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号 68
部局名 高等研究院
カテゴリ 蛍光顕微鏡
設備名称 超解像顕微鏡
メーカー名、型番等 独国カールツァイス社
カールツァイス LSM880 Airyscan
購入年月 平成28年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 空間分解能XY方向120ナノメートル、Z方向350ナノメートルまで対応
  • 生細胞の微弱蛍光長時間観察に対応
設置場所 吉田キャンパス本部構内　総合研究1号館別館 304号室
問い合わせ先 iCeMS解析センター
Tel： 075-753-9863
E-mail： info_ac＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク iCeMS解析センター
ZEISS-iCeMS Innovation Core
申請書 上記リンクよりよりダウンロードしてください（利用にあたっては、まず、iCeMS解析センターへの利用者登録が必要です）。
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設備番号 75
部局名 高等研究院
カテゴリ 蛍光顕微鏡
設備名称 格子構造化照明超解像顕微鏡システム
メーカー名、型番等 独国カールツァイスマイクロコピー社 ELYRAELY.7
購入年月 令和4年1月
おもな仕様・機能・特徴
  • 空間分解能60ナノメートルまで対応。
  • 生細胞の高空間分解能高速観察に対応。
設置場所 吉田キャンパス本部構内　総合研究1号館別館3階 305号実験室
問い合わせ先 iCeMS解析センター バイオ解析部門　藤原敬宏特定准教授
Tel： 075-753-9850
E-mail： tfujiwara＊icems.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク iCeMS解析センター
申請書 上記リンクよりよりダウンロードしてください。
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ELYRAELY.7

設備番号 77
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 ウェハプロファイラ装置
メーカー名、型番等 東邦テクノロジー株式会社（製造元：米国KLA）
ウェハプロファイラ装置 Zeta-388
購入年月 令和4年3月
おもな仕様・機能・特徴 多種多様な材料の加工表面の形状（段差、微細な凹凸等）、欠陥観察及び薄膜形成時の膜厚の計測に利用され、加工のばらつきやパラメータの依存性などの追加（周辺）データを、自動搬送、自動処理機能を付加。
設置場所 吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク 京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
申請書 上記リンクに掲載している「京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 設備利用管理システム」にアクセスしてください。
写真
ウェハプロファイラ

設備番号 78
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
メーカー名、型番等 株式会社アルバック
ドライエッチング装置 Gemini-200E
購入年月 令和4年3月
おもな仕様・機能・特徴 金属材料の加工を得意とする誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置である。
カセットからの直接搬送機能を備えた自動化・遠隔化に対応している。
設置場所 吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク 京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
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誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置

設備番号 79
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 高圧ジェットリフトオフ装置
メーカー名、型番等 株式会社カナメックス
ウエットプロセス装置 KLO-200SV1
購入年月 令和4年3月
おもな仕様・機能・特徴 ウェハ表面をレジスト膨潤、メタルリフトオフ、純水リンス、スピン乾燥と処理を行う枚様式装置。
設置場所 吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク 京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
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高圧ジェットリフトオフ装置

 設備番号 82
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 原子層堆積装置（ALD） SAMCO製 AD-800LP-KN
メーカー名、型番等 サムコ製
原子層堆積装　AD-800LP-KN
購入年月 令和5年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 成膜方式：サーマル/プラズマ
  • 基板サイズ：小片～Φ8"
  • 材料ガス：BDEAS（Si系）、TMA（Al系）、TDMAT（Ti系）ほか（要相談）
  • 反応ガス：H2O、O2、O3、N2、NH3、H2
  • キャリアガス：Ar、N2
設置場所 吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク 京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
申請書 上記リンクに掲載している「京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 設備利用管理システム」にアクセスしてください。
写真

  設備番号 83
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 UVナノインプリント装置 EVG製 EVG6200TBN
メーカー名、型番等 EVG製
UVナノインプリント装置 EVG6200TBN
購入年月 令和5年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • LED光源：365nm、405nm、436nm
  • 最大基板サイズ：6インチΦ（不定形対応）
  • アライメント：±3.0μm
設置場所 吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク 京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
申請書 上記リンクに掲載している「京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 設備利用管理システム」にアクセスしてください。
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   設備番号 84
部局名 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点
カテゴリ その他
設備名称 熱インプリント装置 EVG製 EVG510
メーカー名、型番等 EVG製
熱インプリント装置 EVG510
購入年月 令和5年3月
おもな仕様・機能・特徴
  • 最大基板サイズ：6インチΦ（不定形対応）
  • 最高プロセス温度/荷重：350℃/20kN
設置場所 吉田キャンパス本部構内
総合研究6号館
問い合わせ先 Tel： 075-753-5231
E-mail： kyodai-hub＊saci.kyoto-u.ac.jp（＊を@に変えてください）
関連リンク 京都大学 ナノテクノロジーハブ拠点ユニット
申請書 上記リンクに掲載している「京都大学ナノテクノロジーハブ拠点 設備利用管理システム」にアクセスしてください。
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