酸化物磁性薄膜における光磁化スイッチングの実現－希土類フリー酸化物で世界初の光スイッチングを観測！－

　菅大介 化学研究所准教授、島川祐一 同教授、高橋龍之介 兵庫県立大学大学院生、和達大樹 同教授、大河内拓雄 高輝度光科学研究センター（JASRI）主幹研究員らは共同で、ニッケル・コバルト酸化物NiCo₂O₄の薄膜において、レーザー照射のみでその磁気構造を変化させることに成功しました。

　磁場を使用せず、光のみで磁化を制御することは、次世代の光磁気デジタル磁気記録につながるため、基礎学理のみならず、その応用観点からも注目されています。このたびの研究で、酸化物であり、希土類を含まない物質において、世界で初めて全光型磁化スイッチング（AOS）の観測に成功しました。多くの鉱物が酸化物として産出されるように、酸化物は化学的に非常に安定しています。また、希土類のような重たい元素が含まれていないという点で、応用材料として実用的な側面を持っています。

　本研究成果は、2023年1月16日に、科学誌「ACS Applied Electronic Materials」にオンライン掲載されました。