藤田静雄 工学研究科教授、金子健太郎 同助教らの研究グループは、株式会社FLOSFIA（フロスフィア）と共同で、新規材料によるパワーデバイスとして、コランダム構造の酸化ガリウム（Ga 2 O 3 ）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し、ノーマリーオフ動作を実証することに世界で初めて成功しました。
研究者からのコメント
左から、藤田 教授、金子 助教
本学で開発された新しい半導体材料が、まだ生まれて10年しか経たないうちに、ベンチャー企業との連携の効果によって、実用化に向けて加速していることをたいへん嬉しく思います。この素子を活かして、まずはパソコン電源アダプタから熱（＝電気の無駄）を除きたいです。将来は電気自動車、そしてその先の電気飛行機に搭載されるなど、省エネルギー社会に大きく寄与することを夢見ています。この先、お互いの得意な分野を活かしつつ、さらなる研究開発に努めてまいります。
概要
省エネ社会の実現に向けて、パワーデバイス（電力変換に用いる半導体デバイス）の低損失化が期待されています。中でも、酸化ガリウム（Ga 2 O 3 ）その最有力候補とされてきました。Ga 2 O 3 は結晶構造の異なる５つの結晶多形が知られ、そのうちで最も物性値がよいものがコランダム構造（α構造）です。
本研究グループは、コランダム構造のGa 2 O 3 を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）の開発に成功しました。さらに、従来は実現不可能とされてきたGa 2 O 3 デバイスにおけるノーマリーオフ動作（ゲート電圧が0Vのときに電流が流れず、電圧を上げると電流が流れること）を実証することに成功しました。
本研究成果により、電力変換器の小型化は数十分の一に及ぶことがあり、また、コスト低減効果は電力変換器全体の50%に及ぶことが期待されます。安全・安心が求められる幅広い電源領域での適用が期待され、電気自動車や小型ACアダプタの普及を後押しすることが期待できます。
図：省エネルギー技術を実装したスマートシティ（イメージ）
